Продолжение, начало в МК № 26–38, 40–43, 46, 50–52 (145–157, 159–162, 165, 169–171), 2000; № 1 (172), 4 (175), 6–7 (177–178), 12–13 (183–184), 17–18 (188–189), 23 (194), 27 (198), 30 (201), 33 (204), 35 (206), 40 (211), 42 (213), 44 (215), 47 (218), 50 (221), 1–2 (224–225), 5 (228), 7 (230), 9 (232), 11 (234).

4. Memory

(Продолжение)

4.5. Конфигурирование основной памяти

(Продолжение)

EMS

Разрешение/запрещение аппаратной поддержки центральным процессором расширенной (отображаемой) памяти или, как говорят, EMS-памяти (Expanded Memory Specification). Значения стандартные: Disabled и Enabled. Предназначалась опция для систем на 286-х процессорах.

EMS Memory Base Address

Опция устаревшая. С ее помощью устанавливался базовый адрес окна EMS в основной памяти. Возможные значения: C0000h, C4000 и т.д., включая E0000h.

EMS Page Reg I/O Base

Также устаревшая опция. С ее помощью устанавливался базовый адрес портов ввода/вывода (регистров процессора) для отображения страниц EMS. Предлагался целый ряд возможных значений: 208h, 218h, 258h и т.д., вплоть до 2E8h.

EMS Page(n) Addr Extension

Опция позволяет расширить объем отображаемой памяти для страницы n. Возможные значения: 0 to 2 Mb, 2 to 4 Mb и т.д.

Enhanced DDR Drive

Включение данной опции позволяет на 25% повысить мощность тактовых сигналов, подаваемых в системную DDR SDRAM-память от тактового генератора. Причем такое увеличение уровня мощности сигналов тактовой частоты осуществляется независимо от того, в синхронном или асинхронном режиме работает системная память. Рекомендуется выставлять Disabled. Включение же опции возможно только в случае появления проблем со стабильностью работы памяти, вызванных недостаточно высокой нагрузкой по току. Возникает такая ситуация как при «разгоне» памяти, так и при неоптимальном подборе модулей памяти.

Fast EDO Path Select

«Быстрый выбор пути к EDO-памяти» — так дословно можно перевести название данной опции. К сожалению, именно такая интерпретация в некоторых случаях вводит в заблуждение пользователей. Если в системе была установлена EDO-память, то опцию включали (Enabled). В принципе Fast EDO Path Select вводился специально под нее. Если же в системе использовалась обычная FPM DRAM, параметр нужно было отключить (Disabled). Это же значение устанавливается по умолчанию. На непродолжительное время опция появилась и в системах с BEDO-памятью, затем же была оттуда изъята.

Если опция включена, то при любых инициированных центральным процессором циклах опережающего чтения, независимо от фактов попадания в открытые страницы памяти, промахов в страницы или строки и т.п., задержки таких циклов уменьшались на 1 такт центрального процессора. Опция активировалась также в том случае, если в имелся синхронный кэш-памяти либо нужно было отказаться от кэширования вообще.

Еще одно название опции —EDO Read Leadoff, со значениями Slow и Fast (что соответствует Disabled и Enabled в заглавной опции). Также она могла называться Fast EDO Leadoff или Fast EDO Access, со стандартными Enabled и Disabled.

Fast MA to RAS# Delay

(Задержка между RAS- и MA-стробами)

Так как данная опция напоминает функцию RAS# to CAS# Delay, то стоит обновить в памяти, за что отвечает последняя.

Действие Fast MA to RAS# Delay очень критично по отношению к пользовательским регулировкам, поскольку речь идет о задержке между RAS-стробом и сигналом MA (Memory Adress), согласно которому данные считываются из памяти. Надо отметить, что на данный момент это уже устаревшая опция, предназначавшаяся для работы с FPM DRAM. Значения по умолчанию рекомендовалось изменять только в случае замены чипов памяти или процессора. Значения были стандартными: Disabled (по умолчанию) и Enabled.

Еще одно название опции Fast MA to RAS# Delay CLK. В этом случае для выбора предлагались значения в системных тактах, как и в случае с RAS# to CAS# Delay: 1, 2 (по умолчанию).

Fast R-W Turn Around

См. далее опцию Turn-Around Insertion.

MA Wait State

(Такты ожидания чтения памяти)

Параметр позволяет установить или снять дополнительный такт ожидания перед началом чтения памяти. Может принимать значения: Slow (по умолчанию) — добавляется один такт; Fast — нет дополнительного такта ожидания. Для памяти типа EDO один такт по умолчанию всегда уже существует, а установка Slow добавит еще один такт ожидания. Для SDRAM-памяти такого такта ожидания по умолчанию нет, и Slow один такой такт вводит. Лучше не изменять параметры, выставленные по умолчанию. Выбор значения Fast требует дополнительной проверки, тем более в случае возникновения сообщений об ошибках адресации памяти.

Еще одно название опции —MA Additional Wait State, думаю, понятно о чем идет речь. Возможные значения: Enabled и Disabled. В некоторых случаях параметры могут быть представлены и в виде тактов: 0 ws, 1 ws.

MD Driving Strength

Данная опция позволяет задать уровень мощности сигнала на линиях данных основной памяти (MD — memory data). Собственно MD — это не название сигналов. Например, линии данных (входных/выходных) модулей памяти именуются как DQx. Поэтому данная опция имеет некоторый обобщенный характер. Значительно большую ясность вносит рассмотренный далее параметр Mem. Drive Str. (MA/RAS).

Значения опции следующие: Hi (или High), Lo (или Low). Чем выше значение (самое большое это High), тем сигнал более мощный. Такая возможность, главным образом, используется для повышения общей стабильности работы памяти в случае большого числа DIMM-модулей и/или наличия большого числа двухсторонних модулей. С одной стороны, суммарная токовая нагрузка, определяемая многими модулями, может быть весьма значительной при оптимизации мощности сигналов, но это вынужденная мера. А с другой — потребление по току одного модуля памяти (до оптимизации) может оказаться на грани допустимого предела, что неизбежно приведет к сбоям в его работе.

Более «высокое» значение опции может быть использовано и для разгона. При увеличении частоты работы памяти вам нужно будет решить проблему повышения стабильности работы памяти. Однако использовать для разгона данную опцию в чистом виде нет никакого смысла — повышения производительности не произойдет. Поэтому в случае стандартной комплектации памяти и стандартной работы системы должен быть выбран «низкий» уровень сигналов.

(Продолжение следует)