Продолжение, начало в МК № 26–38, 40–43, 46, 50–52 (145–157, 159–162, 165, 169–171), 2000; № 1 (172), 4 (175), 6–7 (177–178), 12–13 (183–184), 17–18 (188–189), 23 (194), 27 (198), 30 (201), 33 (204), 35 (206), 40 (211), 42 (213), 44 (215), 47 (218), 50 (221), 1–2 (224–225), 5 (228), 7 (230), 9 (232), 11 (234), 14 (237), 15 (238), 20 (243), 21 (244), 26 (249), 28 (251), 37 (260).

4. Memory

(Продолжение)

4.5. Конфигурирование основной памяти

(Продолжение)

RDRAM Pool A Capacity

Данная опция позволяет установить количество потребителей (устройств) на первом из двух каналов системы памяти RDRAM. Потребителями являются RIMM-модули. Значения опции следующие: 1 Device, 2 Devices, 4 Devices, 8 Devices.

RDRAM Power Management Register, биты [1:0] —Pool A Capacity. Это поле определяет максимальное число RDRAM-устройств, которые могут быть размещены на канале A одновременно. Девайсы, не являющиеся частью канала A, принадлежат каналу B:

00 — 1 device

01 — 2 devices

10 — 4 devices

11 — 8 devices.

В качестве комментария. Контроллер Rambus-памяти поддерживает до 32-х RDRAM-устройств на один Rambus-канал. Эти устройства логически распределяются на 8 групп, каждая из которых может иметь до 4-х RDRAM-девайсов.

RDRAM Pool A Max Active Devices

Эта опция регулирует максимально возможное количество устройств RDRAM-памяти, которые одновременно могут находиться в активном (рабочем) состоянии на первом канале. Значения следующие: 1 Device, 2 Devices, 3 Devices, 4 Devices. Данный параметр позволяет оптимизировать работу памяти при применении энергосберегающих режимов.

RDRAM Power Management Register, биты [5:4] —Maximum Active Devices in Pool A. Это поле определяет максимальное число RDRAM-устройств на канале A, которые одновременно могут находиться в активном состоянии или активном чтении/записи. Устройства, не находящиеся в активном состоянии или состоянии активного чтения/записи, переходят в состояние standby:

00 — 1 device

01 — 2 devices

10 — 3 devices

11 — 4 devices.

RDRAM Pool B state

Выпускаемые в настоящее время чипсеты с поддержкой RDRAM-памяти применяют двухканальную Rambus-технологию. Часто второй канал памяти не используется (простаивает), и чтобы снизить риск выхода RIMM-модулей из строя по причине перегрева, этот канал переводится в один из энергосберегающих режимов работы. Проблемы с перегревом вполне естественны, так как функционирование RIMM-модулей на очень высоких частотах сопровождается значительным выделением тепла.

Что же это за режимы? Рассмотрим их последовательно — от рабочего режима к отключению: активный режим (Active), режим ожидания, или дежурный режим (Standby), режим «сна» (или как еще его называют, режим «дремоты») (Nap) и режим отключения (PowerDown). В большинстве случаев BIOS позволяет задавать только два энергосберегающих режима: Nap или Standby. Типичным является Standby. Кстати, уже для перехода от дежурного режима к рабочему состоянию RIMM-модуля требуются дополнительные задержки, что снижает производительность системы памяти. И это несмотря на то, что в дежурном режиме RIMM-модуль находится под рабочим напряжением. Стоит подчеркнуть, что в сравнении с обычной SDRAM-памятью, Rambus-память имеет значительно большее количество тактов ожидания. Количество тактов в цикле чтения из RDRAM-памяти чуть ли не в два раза превышает таковое для SDRAM-памяти. Это вызывает дополнительное снижение производительности при выполнении задач с большим количеством неравномерно распределенных в памяти данных.

Возвращаясь к функциям энергосбережения, можно сделать вывод, что применение режима PowerDown крайне нежелательно. Поэтому различные версии BIOS и предлагают Nap (или Napdown) как максимально допустимый энергосберегающий режим.

RDRAM Control Register, бит 6 —Pool «B» Operation Selection. Этот бит определяет операционный режим RDRAM-устройств на канале B:

0 — все устройства на канале B находятся в состоянии Standby

1 — все устройства на канале B находятся в состоянии Nap.

RDRAM Refresh Rate, Channel N

Опция установки частоты регенерации RDRAM-памяти уже рассмотрена нами ранее. В связи с изложенным чуть выше, стоит упомянуть, что для разных каналов памяти можно устанавливать разные частоты регенерации. Речь идет прежде всего о втором канале, когда он простаивает. Напомним используемые значения: No refresh, 1.95 us, 3.9 us, 7.8 us.

Не повторяя программируемых значений, укажем, что за проведение циклов регенерации отвечает RDRAM Refresh Register и его биты [7:5] — RDRAM Refresh Rate.

RDRAM Roundtrip Delay

Значения опции: 0T, 1T, 2T, 3T, 4T. Обратимся сразу же к регистрам чипсета i820. RDRAM Timing Register, биты [2:0] —Roundtrip Channel Delay. Это поле определяет минимальное время поиска требуемого RDRAM-устройства, что фактически означает время инициализации (round trip propagation time) RDRAM-канала. Интервал измеряется в RDRAM-тактах. Данное значение прибавляется к значению CAS Access Delay, чтобы получить общее время задержки между командой чтения и получением данных из массива памяти.

RDRAM Row-to-Col Delay

Эта опция также RAMBUS-аналог уже хорошо известной нам RAS# to CAS# Delay, только ее значения заметно больше: 7T, 9T.

RDRAM Timing Register, биты [7:6] — Row to Column Delay (tRCD). Это поле определяет минимальный интервал между открытием строки и операцией со столбцом на этой строке в RDRAM-тактах:

00 — Reserved

01 — 7 RDRAM clocks

10 — 9 RDRAM clocks

11 — Reserved.

Значение в 7 тактов является оптимальным для частот 266 и 300 МГц. Для более высоких частот оптимальным может оказаться выбор 9 RDRAM-тактов. Допустимо использование значения с 7-ю тактами, но этот параметр требует практической проверки.

(Продолжение следует)